全球存储芯片市场正经历一场由人工智能（AI）需求主导的深刻变革。摩根大通分析师团队在最新报告中指出，云服务提供商对高性能内存的旺盛需求，正推动整个行业进入长期结构性增长通道。这场变革不仅重塑了DRAM市场的价格周期，更带动NAND闪存市场全面复苏，预计到2027年全球存储市场规模将突破3000亿美元。
驱动本轮增长的核心力量来自AI计算对内存性能的极致追求。报告显示，AI训练与推理需求已从高带宽内存（HBM）向传统DRAM和NAND闪存全面扩散。由于供应商在未来12个月内难以完全满足市场需求，存储芯片价格获得持续支撑。这种供需失衡在DRAM市场表现为罕见的四年定价上行周期（2024-2027年），彻底打破了该行业"过山车式"的价格波动规律。
HBM技术成为稳定市场周期的关键变量。摩根大通预测，到2027年HBM将占据DRAM市场总价值的43%，其高附加值特性有效平滑了传统DRAM的价格波动。即便在2026年HBM3E产品可能因供应增加而降价，但下一代HBM4预计仍将保持35%的溢价，确保混合平均售价维持高位。在厂商竞争格局中，SK海力士凭借HBM4技术优势，有望提前获得英伟达认证并占据超60%市场份额，三星与美光则将争夺剩余订单。
DRAM市场的增长动力正呈现多元化特征。报告特别指出，英伟达下一代Vera CPU配套的SOCAMM2内存模组，以及Rubin CPX GPU使用的GDDR7显存，将成为新的需求增长点。同时，AI推理服务与边缘计算的普及，迫使通用服务器升级内存配置以降低延迟、优化功耗，进一步推高DRAM需求。摩根大通预计，到2027年AI相关应用将占据DRAM市场53%的份额，为此存储厂商计划在2026-2027年将资本支出提升7%-12%，优先扩张DRAM产能。
NAND闪存市场同样迎来强劲复苏。在经历两年投资低迷后，企业级固态硬盘（eSSD）需求因外部因素激增。传统近线硬盘驱动器（HDD）的供应短缺（部分产品交付周期达52周），迫使数据中心大规模转向eSSD解决方案。与此同时，AI模型从训练向推理阶段转型，对数据读取速度提出更高要求，凸显了NAND闪存的结构性价值。摩根大通预测，NAND混合平均售价将在2026财年同比增长7%，但对其长期前景保持谨慎乐观，认为AI推理的存储需求确定性弱于HBM对GPU计算的支撑。
这场存储芯片革命正在改写行业规则。从DRAM市场的长周期定价，到NAND闪存的结构性价值提升，再到HBM技术的竞争格局演变，AI需求已成为贯穿整个存储产业链的核心主线。随着资本支出向DRAM产能倾斜，以及eSSD在数据中心领域的加速渗透，全球存储市场正步入一个由技术创新驱动的新增长阶段。
