近日，第三代半导体领域迎来重要技术突破——北京晶飞半导体科技有限公司自主研发的激光剥离设备成功实现12英寸碳化硅晶圆剥离。作为中国科学院半导体研究所科技成果转化企业，晶飞半导体的这一成果不仅打破国外技术垄断，更为全球碳化硅产业降本增效开辟新路径。据测算，12英寸晶圆较传统6英寸产品可用面积提升近4倍，单位芯片成本可降低30%-40%，标志着我国在第三代半导体核心装备领域实现关键跨越。
碳化硅材料因其耐高压、高频、高热导性等特性，正成为新能源汽车、光伏储能、数据中心等领域的"黄金材料"。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体，凭借高频高效、耐高温等优势，已成为全球半导体产业升级的核心方向。Yole数据显示，2024年全球碳化硅功率器件市场规模达34.3亿美元，预计2030年将突破103.85亿美元，年复合增长率约20%。
技术突破带来的产业效应正在显现。晶飞半导体指出，此次12英寸晶圆加工技术的突破，不仅解决了大尺寸晶圆加工的技术瓶颈，更为全球碳化硅产能扩张提供关键设备支撑。在应用层面，成本降低将加速碳化硅器件在新能源汽车电驱系统、光伏逆变器等领域的普及。东方证券研报特别指出，随着英伟达GPU芯片功率提升，采用碳化硅中介层可显著优化散热性能，部分头部企业已开始布局相关应用。
资本市场对碳化硅产业的关注持续升温。据统计，A股42只碳化硅概念股中，9月以来15只个股实现逆势上涨，天岳先进（23.38%）、弘元绿能（23.21%）、德龙激光（17.34%）涨幅居前。作为全球少数实现8英寸碳化硅衬底量产的企业，天岳先进半年报显示，其12英寸衬底产品已率先推向市场，技术实力位居行业前列。
研发创新成为产业发展的核心驱动力。数据显示，42家概念股上半年研发费用合计达105.05亿元，其中24家公司研发费用同比增长。燕东微（221.21%）、英唐智控（111.6%）、北方华创（52.74%）增幅领先。燕东微半年报披露，其6英寸SiC生产线已完成小pitch MOSFET技术验证版首轮流片，工艺基限得到确认，上半年实现归母净利润1.28亿元，同比扭亏为盈。
外资机构同样看好中国碳化硅产业发展。统计显示，6只概念股前十大流通股东中出现QFII身影，按6月30日收盘价计算，合计持股市值达2.04亿元。其中，*ST华微（0.87亿元）、深圳华强（0.47亿元）、宇环数控（0.22亿元）获QFII持股市值居前三位。随着技术迭代和产能扩张，中国碳化硅产业正从材料环节向器件制造、封装测试等全产业链延伸，形成完整的自主可控体系。
