在无锡，一场聚焦半导体行业未来的盛会——第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）于近日拉开帷幕。此次展会中的重头戏，2025半导体制造与材料董事长论坛，由上海报业集团旗下的《科创板日报》携手CSEAC展会主办方联合呈现，吸引了业界的广泛关注。
论坛中，中国电子材料行业协会半导体材料分会秘书长林健就半导体材料的技术革新、产业链协同以及全球化战略发表了深刻见解。他强调，当前应紧抓第三代及超宽禁带半导体材料的发展机遇，加速推进关键领域的自主可控，为半导体产业的高质量发展提供强大动力。
近年来，我国半导体材料产业展现出了强劲的发展势头。特别是在半导体硅材料领域，尽管全球市场面临下滑，但国内却逆势上扬，出货面积大幅增长，销售额保持稳定。同时，宽禁带半导体材料如砷化镓、磷化铟以及碳化硅等也取得了显著进展。其中，碳化硅衬底的国内出货量已占据全球市场的较大份额，产业规模效应日益凸显。
在技术突破方面，我国已在第三代及超宽禁带半导体材料领域取得了多点成果。例如，苏州纳维团队成功研制出6英寸氮化镓体单晶材料，位错密度达到世界领先水平；中国电科46所与浙大镓仁团队分别在氧化镓单晶领域取得重大突破，制备出6英寸及全球首颗8英寸氧化镓单晶。氮化铝单晶材料及异质结外延单晶金刚石材料等方面也取得了重要进展，标志着我国在半导体材料领域正逐步缩小与国际先进水平的差距。
展望未来，全球半导体产业正步入“材料创新驱动发展”的新阶段。据市场数据显示，半导体市场规模将持续扩大，其中碳化硅材料将成为增速最快的细分领域之一。然而，在半导体材料产业的快速发展过程中，我国仍面临一系列挑战。高端材料领域与国际先进水平存在差距，关键材料依赖进口；资金投入不足与高端人才短缺问题突出；国际贸易摩擦与技术封锁给供应链稳定带来不确定性。
针对这些挑战，林健秘书长提出了五方面的发展路径：加大研发投入，构建一体化攻关体系；完善人才培养与引进机制；强化产业链协同，加速材料国产化替代；推进标准化与国际化；构建多源供应链，降低关键材料单点依赖风险。同时，他强调了中国电子材料协会在产业协同中的桥梁作用，通过组织行业交流、发布产业报告等方式，为企业搭建信息共享与合作平台，推动半导体材料国产化替代，为产业发展营造良好环境。
随着全球半导体产业加速向“材料驱动”转型，我国半导体材料产业正迎来前所未有的战略机遇期。面对挑战与机遇，国内企业需积极应对、寻求突破，共同推动半导体产业的繁荣发展。
