近日，36氪获悉，镓创未来半导体科技（晋江）有限公司（以下简称“镓创未来”）宣布完成千万级天使轮融资。本轮融资由聚卓资本——晋江人才科创基金、芯丰泽半导体及个人投资者共同参与，资金将主要用于提升氧化镓外延片产能，加速第四代半导体材料的产业化进程。
镓创未来成立于2025年7月，专注于第四代超宽禁带半导体材料——氧化镓外延片的研发与产业化。公司核心团队由微电子学与固体电子学领域的博士组成，自2015年起便投身于宽禁带半导体碳化硅和氧化镓材料与器件的研究，在材料外延生长、掺杂及器件制备等全产业链环节积累了近十年的经验。目前，公司已具备异质外延片的小批量生产能力。
氧化镓作为第四代半导体材料，凭借其超宽禁带、高击穿电场等特性，被视为理想的功率半导体材料。其禁带宽度达4.9eV，远超碳化硅的3.3eV和氮化镓的3.4eV；临界击穿电场高达8MV/cm，是碳化硅的三倍多；巴利加优值达到3444，分别是氮化镓的四倍和碳化硅的十倍。这些参数意味着氧化镓在功率器件应用中具有极低的导通损耗，功率损耗仅为碳化硅的七分之一、硅的四十九分之一，对提升能源转换效率具有重要意义。
功率转换效率的提升对新能源汽车、光伏逆变器等领域的应用至关重要。同时，氧化镓在日盲紫外波段的响应特性填补了市场空白，并有望拓展至3000V以上的超高压应用场景。然而，氧化镓的产业化进程面临诸多挑战，包括衬底成本过高、外延供应不足以及材料性能局限等问题。
目前，氧化镓衬底生长需使用铱坩埚，由于铱等贵金属成本高昂，导致国产2英寸氧化镓衬底价格仍高达2万元左右，是同尺寸碳化硅价格的四十余倍，严重制约了其产业化发展。在外延环节，国内外延产业尚处于早期阶段，现有产品存在尺寸小、厚度薄、迁移率低等问题，影响了产品成本、集成度、耐压可靠性及能效等指标。
为突破这些技术瓶颈，镓创未来选择了两条关键路径：一是异质外延技术路线，通过在碳化硅、蓝宝石、硅等成熟商业化衬底上生长氧化镓，将材料成本降低十倍以上；二是自主研发HVPE设备，在实现大尺寸、厚膜、高迁移率的同时，在宽掺杂浓度范围等关键性能指标上取得突破，确保异质外延片的稳定生产。公司创始人表示，这一创新不仅解决了技术难题，还大幅降低了成本。
氧化镓器件的应用场景涵盖电力电子与光电探测两大领域。在电力电子方面，可覆盖新能源汽车（快充桩、OBC、主逆变器）、光伏逆变器及650V-3300V中高压工业电源等场景；在光电探测方面，依托日盲紫外响应特性，可广泛应用于电网监测、消防预警、海上搜救等领域。基于市场需求，镓创未来重点聚焦高价值赛道：功率器件端主攻新能源汽车800V以上高压平台车载充电器、快充桩及AI数据中心工业电源等场景；光电器件端则聚焦日盲紫外探测、深紫外光源及光通信器件等应用方向。
据市场调查公司富士经济2019年发布的《Wide Gap功率半导体元件》全球市场预测，2030年氧化镓功率元件的市场规模将达到碳化硅的36%，甚至超过氮化镓功率元件的规模。尽管氧化镓半导体材料目前仍处于从实验室走向产业化的早期阶段，但镓创未来通过分阶段推进策略，逐步实现技术突破与市场拓展。初期，公司将重点服务高校和科研院所，进行材料研究和器件开发；后续将拓展与器件设计公司和IDM厂商的深度合作，推动产品在工业领域的应用；最终目标是随着技术和市场的成熟，规模化进入新能源汽车、工业电源和光伏等主流市场。
公司创始人认为，氧化镓器件的下游应用推广需要更长期的性能和可靠性验证。从终端应用反推到器件生产、设计及外延层生产，存在一个时间差。因此，镓创未来前期首要目标是服务好早期客户，夯实技术基础，持续提升外延层的质量和工艺水平，逐步建立并稳固下游客户群体。在产线建设方面，公司一期项目已于2025年7月启动，目前已在晋江集成电路产业园落成超净间，主要用于氧化镓同质和异质外延产品的批量生产，为后续市场拓展提供产能保障。
