“材料专业出身的我，一直想在半导体材料领域实现突破。”天岳先进董事长宗艳民在接受专访时，道出了十五年前投身碳化硅产业的初心。彼时，国内碳化硅产业尚处萌芽阶段，技术壁垒高筑、资金回报周期漫长，但这位创业者依然选择闯入这片“无人区”，开启了一场以技术信仰为支撑的产业攻坚。
2010年，当多数投资者对碳化硅产业望而却步时，宗艳民却看到了机遇。他指出，碳化硅作为第三代半导体材料的代表，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高等优势，是制备功率器件的理想材料。但受限于制备技术，这一材料长期难以实现商用。随着全球电气化浪潮的推进，功率器件对碳化硅的需求愈发迫切，突破技术瓶颈成为产业发展的关键。
创业初期，资金压力如影随形。宗艳民坦言，他将工程机械领域积累的资金全部投入研发，但技术投入的“无底洞”让公司长期在生存线上挣扎。转机出现在2018年，国际形势变化促使国内企业转向本土供应链，天岳先进的技术积累得以转化为市场优势。“那一年，我们接住了国家交给的重大任务，才算真正站稳脚跟。”
在技术攻坚的道路上，天岳先进以“创新为刃”，啃下了一块块“硬骨头”。晶体生长中的“应力”问题曾是行业难题——应力过大会导致晶体开裂，影响面型和缺陷控制。天岳团队通过精准量化管控，攻克了这一世界性难题，显著提升了晶体质量。这一突破不仅获得了行业认可，更为后续大尺寸衬底的研发奠定了基础。
大尺寸衬底的研发堪称一场“极限挑战”。碳化硅采用气相升华法生长，尺寸越大，难度呈指数级增长。行业普遍认为8英寸已是技术极限，但天岳团队偏要挑战“不可能”。2024年11月，当全球首枚12英寸碳化硅衬底在德国慕尼黑电子展亮相时，整个行业为之震动。这一突破并非单点技术突破，而是晶体生长、缺陷管理等全链条技术的整体跃升。
如今，天岳先进已构建起覆盖设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工、质量检测等全环节的技术体系，累计获得超500项专利，数量位居全球前五、国内第一。根据日本富士经济报告，2024年天岳在全球导电型碳化硅衬底市场的份额达22.80%，跃居全球第二。
从“跟跑”到“领跑”，天岳先进的技术突破不断刷新行业认知。宗艳民强调，公司始终以“技术为先”，每一步研发都走得扎实。例如，在晶体设计环节，团队通过优化热场结构，将晶体生长速率提升了30%；在缺陷管理方面，开发了动态监测系统，使缺陷密度降低至行业平均水平的1/5。
随着技术壁垒的突破，天岳先进的视野转向全球市场。2025年6月，公司荣获“全球半导体材料金奖”，成为三十年来首个获此殊荣的中国企业。目前，天岳已形成6/8/12英寸完整产品矩阵，包括12英寸高纯半绝缘型、导电P型及N型衬底，年产能超过40万片，累计交付突破100万片。
在产能布局上，天岳先进在济南、济宁和上海建立三大基地，与英飞凌、博世等国际巨头保持长期合作，覆盖全球前十大功率半导体制造商中的六家。除了导电型衬底，公司还在半绝缘型衬底及AR眼镜光波导镜片、高性能滤波器等新兴领域布局。2025年7月，与舜宇奥来微纳光学的战略合作，开启了微纳米光学与新材料跨界融合的新篇章。
国际化战略是天岳先进的另一大布局。2025年8月，公司与东芝电子元件达成技术协作，围绕SiC功率半导体特性提升与品质改善展开深度合作，并扩大高品质衬底供应。此前，公司已宣布向日本市场批量供货，此次合作进一步巩固了其在日本市场的地位。
赴港上市则是天岳先进全球化战略的关键一步。宗艳民解释，港股上市不仅能拓宽融资渠道、加速产能扩张，还能提升品牌国际影响力，吸引行业巨头成为战略投资者，强化产业合作纽带。目前，公司正通过技术引领和产能扩张，持续满足全球客户对大尺寸高品质碳化硅衬底的需求。
“一颗碳化硅器件全生命周期能减少1.2吨二氧化碳排放，是真正的节能利器。”宗艳民指出，随着电动汽车、光伏、AI眼镜等领域的快速发展，碳化硅的应用前景广阔。天岳先进将以超大尺寸技术为支点，与全球产业伙伴携手，推动碳化硅材料的普及，为人类绿色发展贡献力量。
