随着AI芯片单颗功率突破1000W门槛，数据中心供电体系正面临根本性变革。传统415V交流架构在应对兆瓦级机柜功率时已显颓势，行业正加速向800V高压直流（HVDC）转型。这场变革不仅涉及电压等级提升，更将重构整个电源供应链的技术格局。
驱动这场革命的核心动力来自算力密度的指数级增长。以英伟达Blackwell B200芯片为代表的新一代产品，其单体功耗已突破千瓦级，未来Rubin架构可能进一步推高至2000W以上。这种变化直接导致单机柜功率向兆瓦级迈进，现有供电体系在铜材消耗、空间占用和传输效率等方面遭遇物理极限。
供电系统的物理重构已迫在眉睫。数据显示，传输500kW功率时，50V电压等级需要56mm直径的铜母线，而800V系统仅需14mm线径。这种空间效率的质变，使得高压直流方案成为数据中心扩容的必然选择。通过提升电压等级，系统可减少60%以上的铜材使用，同时简化供电架构，为更高密度计算预留空间。
英伟达最新发布的800V供电白皮书为行业指明技术路径。其路线图显示，供电方案将经历从传统交流到过渡性HVDC，再到Sidecar边柜架构，最终实现固态变压器（SST）的终极形态。这种演进的核心逻辑在于解决电源模块的空间占用问题——当机柜功率密度超过50kW/U时，传统内置电源方案将挤占近半机柜空间，直接导致计算效率下降。
Sidecar边柜架构的兴起催生全新硬件需求。这种将电源独立外置的设计，需要配套开发高功率密度的HVDC主机和SST设备。特别是固态变压器技术，虽尚处试点阶段，但其将中压交流直接转换为800V直流的能力，可省去传统变压环节，理论效率提升达15%以上。英伟达与OCP组织的联合推动，使得该方案成为行业技术标准的重要参考。
硬件升级带来显著的技术壁垒提升。电源供应单元（PSU）正从3kW/5.5kW向30kW级跃迁，这种功率密度的质变要求必须采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代半导体器件。这些材料在高温、高频场景下的优势，使其成为高压直流转换的关键基础元件，相关器件的价值占比在电源系统中已超过40%。
直流供电的安全难题催生新兴市场。由于直流电无过零点特性，传统机械断路器在切断高压直流时会产生持续电弧，存在重大安全隐患。英伟达白皮书明确要求采用固态断路器解决方案，利用半导体器件实现微秒级关断和无弧分断。这种新型保护装置已成为800V架构的必备组件，其市场容量预计将在三年内突破20亿美元。
资本市场正密切跟踪这场能源革命。分析指出，投资机会集中于四个维度：首先是高功率密度的AIDC电源主机设备，包括PSU、HVDC和SST；其次是解决直流供电痛点的新增环节，如固态断路器、机柜级DC/DC转换器；第三是支撑高压转换的第三代半导体材料；最后是具备电源架构设计能力的系统集成商。这些领域的技术门槛和价值含量显著高于传统电源市场，有望诞生新的行业龙头。
在这场由AI算力驱动的能源变革中，供应链重构正在创造结构性机会。能够率先突破800V技术瓶颈、实现规模化量产的企业，将在数据中心电源市场获得显著竞争优势。随着英伟达Rubin架构的逐步落地，这场供电革命的技术标准之争和市场份额争夺，将成为2026年科技行业的重要看点。
