近期，我国第三代半导体技术创新领域迎来重大突破，深圳平湖实验室作为该领域的先锋，宣布在碳化硅（SiC）衬底加工技术上取得了革命性成就。该实验室自主研发的全自动化激光剥离系统，成功将碳化硅衬底的切割损耗大幅度降低，这一技术革新不仅标志着我国在第三代半导体材料产业化进程中的重大进步，更为全球SiC衬底加工技术树立了新的标杆。
长久以来，碳化硅衬底加工技术面临着高损耗和低效率的双重挑战，这严重制约了其规模化应用。深圳平湖实验室针对这一难题，集中力量研发SiC激光剥离新技术，旨在通过技术创新突破瓶颈，降低生产成本，推动大尺寸SiC衬底的广泛应用。经过不懈努力，实验室的技术团队终于在这一领域取得了历史性突破。
回顾技术突破的过程，2024年12月，深圳平湖实验室新技术研究部首次实现了激光剥离单片总损耗控制在120微米以内，单片切割时间缩短至30分钟，这一成果在当时已经处于国内领先水平。然而，实验室并未满足于此，而是继续深化研究，优化工艺参数。
到了2025年6月，深圳平湖实验室再次传来捷报，激光剥离技术的单片总损耗进一步降低至75微米以下，单片切割时间也缩短至20分钟。这一技术革新不仅使得单片成本降低了约26%，而且单台设备的切割效率也大幅提升，从原先的60分钟/片缩短至20分钟/片。结合智能化产线，整体产能更是提升了三倍，为碳化硅衬底的规模化生产奠定了坚实基础。
值得注意的是，深圳平湖实验室在完成技术突破的同时，还进行了三批次的小批量验证，结果显示良率高达100%，这进一步证明了该技术的稳定性和可靠性。随着新能源汽车、光伏等领域的快速发展，对碳化硅材料的需求急剧增加，国产激光剥离技术的成熟无疑将为这些领域提供更加自主、高效、低成本的解决方案。
深圳平湖实验室的这一成就，不仅是对我国第三代半导体技术创新能力的有力证明，更为全球半导体产业的未来发展注入了新的活力和动力。随着技术的不断推广和应用，相信我国在半导体领域的国际竞争力将得到进一步提升。
