群联电子首席执行官潘健成近日在接受媒体专访时透露,受人工智能数据中心建设加速影响,NAND闪存市场将在2026年迎来供应短缺,且这种供需失衡状态可能持续至2036年。他特别强调,存储行业正步入前所未有的"超级周期",未来十年全球闪存产能将长期处于紧张状态。
潘健成指出,当前市场格局的转变源于多重因素叠加。自2019年起,闪存制造商因价格暴跌风险持续压缩资本支出,2023年美光、SK海力士等头部企业更将大量资金转向高利润率的HBM内存领域。这种投资转向导致闪存产能扩张停滞,而同期数据中心对存储设备的需求却因AI技术爆发呈现指数级增长。
据其分析,云服务提供商的资本支出策略正在发生根本性转变。过去两年,科技巨头投入数十亿美元抢购GPU用于AI模型训练,但随着模型成熟度提升,推理阶段产生的海量数据存储需求将成为新的投资焦点。"数据中心的核心职能是数据存储,要实现盈利必须积累用户数据,这直接推动存储设备需求激增。"潘健成以数据中心SSD渗透率变化为例,2020年SSD占比不足10%,2024年已跃升至20%,预计2030年前将突破80%。
这种结构性转变带来双重影响:一方面,现有闪存产能远无法满足SSD替代HDD的转型需求;另一方面,存储设备在数据中心投资中的占比将持续攀升。潘健成特别提到,当前每块GPU配套的存储设备数量较三年前增长3倍,这种趋势在推理计算场景下尤为明显。随着全球数据中心存储容量需求以年均25%的速度增长,闪存市场将长期处于供不应求状态。
行业观察人士指出,群联电子作为全球主要NAND控制芯片供应商,其CEO的预测具有重要市场参考价值。近期三星、铠侠等厂商已宣布推迟部分HBM产线扩建计划,转而加大3D NAND技术研发投入,这一战略调整印证了潘健成关于行业风向转变的判断。