12 月 9 日消息，据 The Elec 报道，ASML 近日在“2022 半导体 EUV 生态系统全球大会”上指出，ASML 的 EUV 设备生产台数已经从 2019 年的 22 台增加到 2021 年的 42 台，预计今年将超过 50 台，明年生产台数将进一步增加。High-NA EUV 设备将于明年年底推出初始版本，量产型号将于 2024 年底或 2025 年初推出。
在 10 月 19 日的第三季度财报公告中，ASML 表示：“在 EUV High-NA 业务中，ASML 收到了 TWINSCAN EXE:5200 的额外订单;目前所有的 EUV 客户都已提交 High-NA 订单。” High-NA EUV 设备是将集光能力的镜头数值孔径(NA)从 0.33 提高到 0.55 的设备。比现有的 EUV 设备处理更精细的半导体电路。业界大多数人认为，High-NA 设备对 2nm 工艺至关重要。
另据 etnews 报道，三星电子和 SK 海力士向光刻机巨头 ASML 订购了下一代半导体设备 High-NA 极紫外光(EUV)曝光设备。继台积电和英特尔之后，韩国半导体制造商也在准备引进能够实现 2nm 工艺的设备。对最先进工艺的竞争预计将加剧。
IT之家了解到，High-NA EUV 设备比目前使用的 EUV 设备更昂贵，但它可以一次性实现超精细工艺(单次图案化)，这可以极大地提高生产力。就三星电子而言，有必要在 3nm 量产后抢先确保 High-NA EUV 设备用于 2nm 量产。现有的 EUV 设备估计需要 2000 亿韩元(约 10.08 亿元人民币)至 3000 亿韩元(约 15.12 亿元人民币)，而 High-NA EUV 设备估计需要花费 5000 亿韩元(约 25.2 亿元人民币)。
