随着人工智能（AI）技术的迅猛发展，存储芯片市场正迎来新一轮增长浪潮。近期，“HBM三雄”——SK海力士、三星和美光，以及闪迪、西数等产业链企业股价表现强劲，呈现陡峭的上涨态势。这一现象背后，是资本市场对半导体内存供需格局的重新评估。
驱动市场升温的核心因素之一是HBM（高带宽内存）芯片的旺盛需求。与此同时，企业级固态存储（eSSD）领域也传来利好消息：超大规模云服务提供商近期集中追加订单，进一步推高了市场对NAND闪存的预期。由于过去两年行业投资不足，NAND市场正步入“量价齐升”的阶段，成为资金追捧的热点。
国际知名投行摩根大通在最新报告中预测，全球存储芯片市场将在2027年前保持结构性增长，届时内存半导体的可寻址市场规模（TAM）将突破3000亿美元。报告强调，随着企业盈利能力出现结构性改善，传统的估值参照体系已不再适用。
摩根大通科技产业分析团队指出，尽管存储板块近期大幅上涨，但未来6至12个月的风险收益比仍偏向乐观。分析师认为，在2027年新增产能释放前，AI需求驱动的供需紧张局面将持续存在。这一判断基于三大关键趋势：
首先是定制化HBM（cHBM）的崛起。传统存储器件正从被动元件转型为具备逻辑计算能力的主动部件。通过将LPDDR与HBM并行运行，或在HBM堆栈中集成计算逻辑，厂商能够提供覆盖HBM、逻辑芯片、LPDDR及存内计算（PIM）的全栈解决方案。这种转变显著提升了存储在AI基础设施中的总拥有成本（TCO）。SK海力士特别强调，HBM能效每提升10%，单机架节能效果可达2%，对系统级能耗控制具有战略意义。
其次是技术代际的领先优势。SK海力士于9月中旬宣布完成HBM4开发，支持超过10Gb/s的带宽速度并进入量产准备阶段。这意味着客户样品开发已基本完成，预计11月将完成CoWoS封装与系统级测试。相比之下，竞争对手可能要到2026年一季度才能达到同等技术标准。HBM4的定价谈判将高度依赖其他厂商能否达到SK海力士设定的性能门槛，这一情景与HBM3/3E周期如出一辙。
在封装技术领域，混合键合（Hybrid Bonding）成为新的竞争焦点。受限于芯片堆叠高度和能效要求，三星等厂商正尝试在20层HBM甚至16层HBM4E中应用该技术。尽管面临无缝键合、良率控制等技术挑战，研发投入仍在持续加大。三星披露的数据显示，混合键合可使堆叠层数提升33%，同时改善散热性能20%。不过，SK海力士表现出技术自信，计划通过热压键合技术推出16层HBM4E产品。
应用场景的拓展同样值得关注。随着AI产业重心从训练转向推理，边缘计算设备对存储性能提出新要求。华邦电子预测，到2030年边缘AI硬件市场规模将达500亿美元。低延迟、低功耗、高带宽的存储解决方案将成为智能手机、汽车、家电等终端设备实现本地化AI推理的关键支撑。
