特斯拉创始人马斯克在公布超级芯片厂Terafab高达168亿美元的初期投资计划时，同步展示了一段该芯片厂建成后的概念视频。视频中，一座规模宏大的芯片制造基地引发了外界关注，尤其是其中心位置一个巨大的环形结构，成为讨论焦点。
硅谷“有效加速主义”代表人物、AI硬件初创公司Extropic创始人纪尧姆·韦尔东（化名Beff Jezos）率先提出疑问：Terafab中心的环形结构是否为环形粒子加速器？对此，马斯克以“FEL FTW”的简短回应引发更多猜测。随后，Gork官方发布消息称，根据官方渲染图，Terafab的中央环形结构确为回旋加速器或同步辐射环，其功能是为光刻车间提供自由电子激光（FEL）极紫外（EUV）光束。
当前，光刻机领域的主流技术由阿斯麦（ASML.US）等企业主导，采用激光产生等离子体（LPP）光源方案。该技术通过高功率激光轰击高速飞行的锡滴，使锡原子形成高温等离子体并释放13.5纳米波长的极紫外光。然而，LPP技术存在两大缺陷：一是能量转换效率极低，输入电能到EUV输出的比例仅约0.1%；二是锡滴被轰击后会产生碎片和污染物，增加设备维护成本。尽管如此，LPP光源体积小巧（仅数立方米），仍是目前唯一可大规模量产的EUV光源技术。
相比之下，FEL技术通过高速电子束直接产生高能光束，可同时为多台光刻机提供波长可精确调整的光源。但这一方案的代价是设备体积庞大，远超现有光刻机光源系统的规模。Terafab若采用FEL技术，或将重新定义芯片制造的光源供应模式，但其工程实现难度与成本效益仍需进一步验证。
