第三方市场研究机构Counterpoint最新发布的《内存价格追踪报告》显示，截至2026年第一季度，内存市场正经历前所未有的价格飙升，DRAM、NAND及HBM三大核心品类价格较2025年第四季度上涨80%-90%，均刷新历史纪录。其中，通用服务器用DRAM成为本轮涨价的主要推手，而此前表现平稳的NAND闪存在第一季度也加入涨价行列，叠加部分HBM3e产品价格走高，形成全品类、全板块同步上涨的态势。
以服务器级内存为例，64GB RDIMM合约价从2025年第四季度的450美元跃升至2026年第一季度的900美元以上，第二季度更有望突破1000美元关口。高盛近期大幅上调DRAM供应短缺预期，指出2026年和2027年供不应求幅度将分别达到4.9%和2.5%，远超此前预测的3.3%和1.1%，并警告2026年或成为过去15年来供应短缺最严重的一年。
价格飙升直接推高厂商利润率。Counterpoint数据显示，2025年第四季度传统DRAM利润率已超过HBM，达到60%区间；预计2026年第一季度厂商营业利润率将触及历史峰值，创下盈利新高。然而，这一繁荣景象背后，原始设备制造商（OEM）正面临双重压力：零部件成本激增与消费者购买力下降的双重挤压，迫使企业调整采购策略。
Counterpoint高级分析师Jeongku Choi指出，设备厂商需通过“改变采购模式”或“聚焦高端机型”应对挑战。智能手机行业已出现明显调整：部分厂商削减设备DRAM容量，或采用性价比更高的QLC方案替代TLC固态硬盘；供应紧张的LPDDR4订单下滑，而支持最新DRAM标准的LPDDR5订单持续增长。受市场需求疲软影响，多家手机厂商已下调全年出货量预期。
尽管当前存储器行业盈利水平达到前所未有的高度，但Jeongku Choi提醒，这一峰值可能成为“新常态”或“极高基准”，而一旦进入下行周期，市场表现或将更加惨淡。他以DRAM利润率为例说明：2025年第四季度通用DRAM利润率首次超过HBM，2026年第一季度更将突破历史峰值，但这种繁荣能否持续仍存不确定性。
