在人工智能技术迅猛发展的背景下，存储芯片市场正经历新一轮价格波动。据行业消息，美国存储芯片巨头美光科技近期向渠道商发出通知，暂停对DDR4、DDR5、LPDDR4及LPDDR5等全线存储产品的报价，并取消与协议客户的既有价格，相关产品价格预计将上调20%至30%。不过，美光方面回应称，目前尚未正式宣布调价计划。
利基存储市场同样呈现涨价趋势。业内人士透露，国内厂商兆易创新的Nor Flash产品已全面上调价格。另一家头部企业普冉股份则表示，其Nor Flash尚未全线涨价，但SLC NAND产品因供需紧张，预计第三、四季度将陆续提价。普冉股份近期还披露，计划收购珠海诺亚长天存储技术有限公司控股权，间接获取SK海力士的晶圆资源，以强化在2D NAND及SLC NAND等中高端存储芯片领域的布局。
存储市场细分领域中，内存与闪存表现分化。2025年以来，DRAM价格涨幅显著，而NAND价格波动相对温和。这一现象源于海外原厂在4月宣布停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品，导致市场供应收缩。尽管部分原厂为满足长尾需求维持特定产能，但整体供需关系仍向卖方倾斜，推动DDR4、LPDDR4X价格自二季度起持续上涨，并预计延续至年底。
闪存市场方面，AI技术推动的数据量激增正冲击全球数据中心存储设施。集邦咨询指出，传统近线硬盘（Nearline HDD）供应短缺，促使高效能、高成本的固态硬盘（SSD）成为市场焦点。其中，大容量QLC SSD出货量有望在2026年迎来爆发式增长。江波龙副总经理许刚翎表示，生成式AI向多模态发展带动全球科技企业加速数据中心建设，推动对DDR5 RDIMM、eSSD等高性能存储产品的需求，服务器已成为DRAM与NAND Flash的核心应用市场。数据显示，2024年全球服务器NAND Flash需求同比增长99.5%，2025年预计仍将保持高速增长。
面对市场变化，国内存储厂商积极调整策略。许刚翎透露，江波龙已布局数据中心领域的高性能存储产品，推出CXL2.0、MRDIMM等新型内存，并正式发布SOCAMM2系统级芯片附加内存模块，为AI与大模型推理提供高效扩展方案。东芯股份则表示，其利基型存储芯片价格随市场需求回升，SLC NAND自二季度起需求与价格同步上涨，预计下半年趋势将更明显；Nor Flash价格将随行业动态调整。
集邦咨询分析师王豫琪指出，北美云服务商的服务器建设持续推进，带动DRAM与NAND Flash采购需求强劲。在供不应求的市场环境下，NAND Flash率先释放涨价信号，DRAM供应商随后暂停报价以评估需求与产能规划。当前供给方占据报价优势，合约价与营收有望延续增长，全球存储供应商将从中受益。
开源证券分析认为，随着AI模型迭代，端侧化与轻量化成为核心方向。未来，大模型规模化扩展需依赖云端与终端协同，通过分流计算工作负载优化成本、能耗与性能。因此，AI处理重心可能从云端向手机、PC等终端转移。Nor Flash、SLC NAND等利基产品广泛用于终端设备，若AI处理转向端侧，利基市场将迎来新机遇。普冉股份工作人员解释称，AI技术发展带动存储配套需求提升，市场正等待具备放量潜力的产品。
