全球光刻机巨头ASML近日发布二季度财报，业绩表现远超市场预期，并罕见披露2027至2028年产能扩张蓝图，直接回应了市场对人工智能（AI）驱动需求持续性的质疑。财报发布后，华尔街主要投行集体上调评级，高盛、摩根大通等机构重申“买入”建议，认为该公司已彻底验证AI供应链瓶颈逻辑，同时对“内存价格2028年见顶”的悲观预测形成有力反驳。
二季度，ASML实现营收93亿欧元，超出彭博市场共识预期4亿欧元；毛利率达54%，较指引区间上限高出2个百分点。基于强劲表现，公司大幅上调2026年营收指引至430亿至450亿欧元，中位数较此前预期提升11%；毛利率指引同步上调至54%-56%。更引发市场关注的是，管理层明确表示将在2027年和2028年分别扩大低数值孔径极紫外光刻（EUV）和浸没式深紫外光刻（DUV）产能约30%，这一规划直接推动分析师对2028年盈利预期大幅上修。
资本市场迅速作出反应。财报发布后，ASML阿姆斯特丹股价上涨约4%，纳斯达克100指数期货同步攀升40个基点。韩国存储芯片厂商SK Hynix首尔股价单日飙升8.8%，补涨此前其美国存托凭证27%的涨幅。投行方面，高盛维持12个月目标价2000欧元，隐含29%上行空间；摩根大通重申“增持”评级，目标价1900欧元。
三季度指引进一步强化市场信心。公司预计当季营收110亿至120亿欧元，中位数超市场预期11%；毛利率指引55%-57%，较共识高出350个基点。摩根大通分析指出，三季度营收中位数较预期高12%，毛利率优势或推动息税前利润超出市场预测26%。高盛研报显示，二季度营收、息税前利润和每股收益分别超出市场共识6%、13%和11%，毛利率更较预期高230个基点。
产能扩张路线图成为此次财报最大亮点。ASML计划在2026年生产约65台低数值孔径EUV设备的基础上，2027年扩产至85台，2028年进一步增至110台；浸没式DUV产能则将从2026年的130台扩至2027年的169台，2028年达220台。高盛测算显示，这一规划远超市场共识——2027/2028年EUV出货量预期分别为85/110台（市场预估85/89台），DUV出货量预期达169/220台（市场预估137/146台）。
摩根士丹利指出，2028年产能目标已进入“超级乐观区间”，超出该行此前作为卖方的最高预测。若规划落地，ASML当年每股收益或超65欧元，叠加已安装设备管理业务的强劲增长，实际盈利可能更高。高盛交易台评论称，公司已锁定2027年大部分EUV订单，并收到“极为强劲”的2028年订单，订单接收情况超出管理层此前描述。
AI需求持续爆发成为扩产核心驱动力。ASML管理层表示，逻辑芯片和内存领域对先进制程的需求正在同步强化。在逻辑芯片方面，客户正加速5/4/3纳米产能建设，同时推进2纳米量产和1.4纳米技术预研，预计2026年先进逻辑业务营收同比增长25%。内存领域，DDR和HBM供应紧张推动客户加大投资，EUV和先进浸没式光刻技术的应用进一步拉升设备需求，预计2026年内存业务营收同比增长75%。
高盛分析认为，内存制造正经历根本性变革。随着行业向HBM4/HBM5和1c/1d纳米DRAM过渡，EUV层数显著增加——1c DRAM已采用五层以上EUV技术，1d和0a代计划全面应用EUV。由于深紫外光多次图形化工艺接近物理极限，ASML将成为这一结构性转型的主要受益者。该机构强调，HBM晶圆强度远高于传统DRAM，双重扩张正严重挤压全球晶圆厂产能，内存价格或将在更长时间内维持高位，2028年前见顶的预测“为时过早”。
尽管华尔街集体看好，但投行对2027年指引存在细微分歧。巴克莱分析师指出，产能规划应能缓解市场对供应约束的担忧，上半年低数值孔径EUV订单或达220亿欧元，创历史纪录。摩根大通则认为，2027年EUV产能未达90台“无关紧要”，因2028年指引已远超预期，且2026年营收增速预计达35%，显著高于晶圆厂设备行业整体预期。摩根士丹利强调，管理层描述的“非常强劲”订单接收情况预示2027年销售势头强劲。相对审慎的Jefferies分析师承认已安装设备管理业务表现积极，但认为2027年EUV指引低于近期市场飙升的预期。Oddo BHF则预计市场共识盈利预测将上调20%，称ASML仍占据“无可匹敌的技术主导地位”，并受益于AI驱动的全新周期。
