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英伟达ICMS架构或成NAND需求新引擎 供需格局与产业升级双受益

   时间:2026-01-15 10:40:38 来源:互联网编辑:快讯 IP:北京 发表评论无障碍通道
 

花旗最新研究报告显示,英伟达在AI推理领域推出的创新存储架构正引发NAND闪存市场连锁反应。这项被称为推理上下文内存存储(ICMS)的技术方案,通过重构数据存储层级,预计将在2026至2027年间为全球NAND市场注入数亿TB级的新增需求,可能使当前已趋紧张的供需格局进一步恶化。

核心突破在于存储层级的革命性重构。传统Transformer模型依赖KV Cache机制实现内存优化,但英伟达新方案在原有GPU高速缓存(G1)、系统内存(G2)、本地SSD(G3)和企业存储(G4)四层架构间,创造性地插入G3.5专用层级。该层级通过智能调度机制,将冷数据转化为温缓存,使数据传输效率提升5倍的同时,将每秒处理令牌数和能效比同步提高5倍。

硬件配置彰显技术野心。即将搭载BlueField-4芯片的Vera Rubin平台,单台服务器配置72块GPU,每块GPU对应16TB专用TLC SSD存储。这种配置使单台设备NAND需求量达到惊人的1152TB,相当于传统数据中心的百倍级存储密度。花旗测算显示,2026年若该平台出货量达3万台,将消耗全球2.8%的NAND产能;到2027年出货量增至10万台时,占比将飙升至9.3%。

供需失衡风险持续累积。当前NAND市场已因AI数据中心建设陷入供应紧绷状态,近三年价格累计涨幅超过40%。英伟达带来的新增需求具有强刚性特征,其规模化落地将直接冲击现有产能分配。报告特别指出,三星电子、SK海力士等头部厂商的3D NAND产线扩建速度,可能无法匹配2026年后爆发的需求增长。

技术迭代催生产业变革。为应对AI推理场景的特殊需求,NAND技术正加速向更高存储密度(单芯片1Tb级)、更快读写速度(4GB/s级)和更低功耗(每TB低于5W)进化。存储控制器厂商已开始研发配套的拓扑感知调度芯片,SSD制造商则聚焦于提升数据持久性和访问延迟优化。

产业链传导效应显著。从上游硅晶圆供应到下游系统集成,整个半导体生态都在调整布局。美光科技已宣布将2025年资本支出中的60%投向AI专用存储产线,铠侠则与英伟达联合开发定制化固件算法。这种技术-产业协同效应,正在重塑全球存储市场的竞争格局。

市场观察人士指出,ICMS架构的推广标志着AI算力发展进入存储驱动新阶段。当训练阶段的算力竞赛逐渐趋缓,推理效率正成为新的竞争焦点。这种转变不仅为NAND厂商创造结构性机遇,更可能催生存储-计算一体化的新型硬件形态,推动整个半导体行业向更高维度进化。

 
 
 
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