近期，存储芯片市场因人工智能（AI）技术的快速发展迎来新一轮价格波动。据行业消息，美国内存芯片巨头美光科技已向渠道商发出通知，暂停对DDR4、DDR5、LPDDR4及LPDDR5等产品的报价，并取消与协议客户的价格约定，相关产品价格预计上调20%至30%。不过，美光官方对此回应称，目前尚未发布正式调价公告。
在利基存储市场，涨价趋势同样明显。国内厂商兆易创新已对其Nor Flash产品实施全线提价，而另一家头部企业普冉股份则表示，其Nor Flash尚未全面涨价，但SLC NAND产品因供需紧张，预计将在三、四季度持续上调价格。普冉股份于近日宣布筹划收购珠海诺亚长天存储技术有限公司控股权，间接控制拥有中高端2D NAND及SLC NAND等衍生产品的SkyHigh Memory Limited，以强化在利基市场的布局。
存储芯片主要分为内存（DRAM）和闪存（NAND）两大类。自2025年以来，DRAM价格涨幅显著，而NAND价格涨幅相对温和。这一现象源于海外原厂在2025年4月相继宣布停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品。尽管部分厂商为满足下游长尾需求维持了特定产能，但市场整体供应仍难以满足需求。随着供需关系向卖方倾斜，DDR4和LPDDR4X价格自二季度起持续上涨，并预计延续至年底。
与此同时，AI技术带来的数据量激增正推动闪存市场酝酿涨价。市场研究机构集邦咨询指出，AI产生的庞大数据对全球数据中心存储设施构成冲击，传统近线硬盘（Nearline HDD）供应短缺，促使高效能、高成本的固态硬盘（SSD）成为市场焦点。特别是大容量QLC SSD，预计将在2026年迎来出货爆发期。
江波龙副总经理许刚翎表示，随着生成式AI向多模态方向发展，全球科技企业加速数据中心建设，推动对DDR5 RDIMM、eSSD等高性能存储产品的需求增长。服务器已成为DRAM与NAND Flash最重要的应用市场。数据显示，2024年全球服务器NAND Flash需求同比增长99.5%，2025年预计仍将保持高速增长。AI服务器对高性能存储的强劲需求，是近年来eSSD与RDIMM价格持续上行的主要原因。
针对存储产品涨价，集邦咨询分析师王豫琪指出，近期北美云服务商的服务器建设持续推进，带动DRAM与NAND Flash采购需求强劲。在供不应求的市场环境下，NAND Flash率先释放涨价信号，DRAM供应商随后暂停报价以评估需求并规划产能。当前供给方占据报价优势，合约价预计延续上涨趋势，全球存储供应商营收将持续增长。
面对AI推理需求的变化，国内存储厂商积极调整策略。许刚翎透露，江波龙已布局数据中心高性能存储产品，拓展CXL2.0、MRDIMM等新型内存，并推出SOCAMM2产品，为AI与大模型推理提供高效扩展解决方案。东芯股份则在投资者关系活动中表示，其利基型存储芯片价格随市场需求回升，SLC NAND从二季度起需求与价格同步上涨，预计下半年趋势更明显；NOR Flash价格则随行就市，若头部厂商提价，公司将跟进。
普冉股份工作人员解释称，AI技术的普及带动了存储配套数量和容量的提升，市场正等待能够放量的产品。NAND供给格局优化，头部厂商减产或退出（如三星2021年退出），导致市场供不应求。普冉此次收购的标的涉及SK海力士晶圆，旨在强化供应链稳定性。
开源证券分析认为，随着AI大模型发展，未来计算重心有望从云端向手机、PC等终端转移。大模型规模化扩展依赖云端与终端协同，通过分流计算工作负载优化成本、能耗和性能。若AI处理重心转向端侧，广泛用于手机、PC和可穿戴设备的Nor Flash、SLC NAND等利基产品市场或将受益。
