半导体设备领域的领军企业泛林集团（Lam Research）近日在美国加州宣布了一项重大创新，正式推出了全球首款采用钼（Mo）原子层沉积（ALD）技术的设备——ALTUS Halo。这款设备已经在逻辑半导体和3D NAND领域获得了初步应用，标志着半导体工艺的一次重要突破。
ALTUS Halo的问世，为半导体行业带来了新的解决方案。在过去二十多年的半导体工艺中，钨（W）因其卓越的沟槽填充能力在金属布线元器件互联中占据主导地位。然而，随着半导体技术的不断进步，钨电阻较高的缺点逐渐凸显，使得寻找替代材料成为行业关注的焦点。而钼凭借其在沟槽填充和电阻两方面的优异表现，逐渐成为了布线工艺的新选择。ALTUS Halo正是针对这一需求而设计的，它能够向半导体中注入钼，从而解决现有工艺中的瓶颈问题。
泛林集团的高级副总裁兼全球产品集团总经理Sesha Varadarajan表示，ALTUS Halo是基于泛林深厚的金属化专业知识而诞生的，是原子层沉积领域二十多年来最重要的突破之一。该设备将泛林独有的四站模块架构与ALD技术的新进展相结合，实现了工程化的低电阻率钼沉积，满足了新兴和未来芯片变化的关键要求，包括千层3D NAND、4F2 DRAM以及先进的GAA逻辑电路。
美光公司负责NAND开发的副总裁Mark Kiehlbauch也对ALTUS Halo表示了高度认可。他指出，钼金属化的集成使得美光能够在最新一代NAND产品中率先推出业界领先的I/O带宽和存储容量。而泛林的ALTUS Halo设备正是使美光能够将钼投入量产的关键因素。
除了ALTUS Halo之外，泛林集团还同期推出了一款名为Akara的等离子体蚀刻设备。这款设备采用了固态等离子体源，生成的等离子体响应速度提升了百倍，支持更大纵横比的超高精度蚀刻，能够形成复杂的3D结构。这一创新技术将为半导体工艺的进一步发展提供有力支持。
