【ITBEAR科技资讯】7月25日消息，据集邦咨询于7月22日发布的市场研报透露，苹果公司正在考虑采用QLC NAND闪存技术，并计划最早在2026年将其应用于iPhone产品中。这一举措有望将iPhone的存储上限提升至2TB，为用户带来更加充裕的存储空间。
QLC NAND，即四层单元NAND闪存，相较于目前广泛使用的TLC NAND(三层单元NAND闪存)，具有更高的存储密度。具体来说，QLC的每个存储单元可以储存4bit数据，相较于TLC，其储存密度提高了33%。这使得QLC NAND在大容量存储应用中具有显著优势，尤其适合用于入门级消费者固态硬盘等领域。
然而，QLC NAND也存在一定的局限性。其耐久度相对较低，通常的擦写周期(P/E Cycle)仅在100到1000次之间。为了维持其可靠性，制造商需要实施先进的错误校正机制、预留配置(OP)和磨损均衡技术(Wear leveling)。此外，虽然QLC NAND可能不适合写入密集型工作负载，但它为日常使用提供了充足的存储容量，使得固态硬盘能够覆盖更广泛的用户群体。
关于苹果公司采用QLC NAND的传闻早已有之。最初的消息称苹果计划在iPhone 14系列上采用这种闪存技术。而根据IT之家的报道，苹果可能会在iPhone 16 Pro系列上采用QLC NAND。集邦咨询的预估也表明，苹果公司正在加速推进QLC NAND的换代工作，以期将iPhone的内置存储上限提高到2TB。
尽管QLC的存储密度高于TLC，但其速度却相对较慢。同时，由于单个存储单元中存在更多的单元，其耐用性也相对较差，这意味着QLC NAND能处理的写入周期比TLC要少。尽管如此，苹果公司仍在积极探索如何使用NAND闪存来存储大型语言模型(LLMs)，以便在本地运行更多的AI任务。因此，过渡到QLC NAND可能有助于提升Apple Intelligence的表现。
据ITBEAR科技资讯了解，苹果公司的这一举措不仅将为用户提供更大的存储空间，还可能为其AI技术的发展带来新的突破。随着技术的不断进步和市场需求的持续增长，我们有理由期待QLC NAND在未来的广泛应用和发展潜力。
