【ITBEAR科技资讯】7月8日消息，三星公司最近宣布，他们已经组建了一个全新的“HBM开发团队”。这一重要举措清楚地表明了三星在高带宽内存(HBM)技术领域的坚定决心和雄心壮志，标志着其在这个领域的发展进入了一个全新的阶段。
据ITBEAR科技资讯了解，新成立的HBM开发团队将致力于研发尖端技术，特别是HBM3、HBM3E以及备受瞩目的下一代HBM4技术。三星此举意在显著增强其在全球HBM市场的竞争力，进一步扩大市场份额。
三星在HBM技术的研发上可谓历史悠久。自2015年以来，该公司就在其DRAM部门内专注于HBM技术的深度开发，并设立了专门的团队和特别工作组来持续推动技术的创新和突破。这次组织结构的调整和优化无疑是对过去几年努力的进一步加强，显示了三星对HBM技术未来发展的强烈信心。
三星在抢占高价值DRAM市场方面表现出了令人瞩目的研发速度和执行能力。今年早些时候，三星成功研发出了HBM3E 12H DRAM，并在随后的四月份就实现了HBM3E 8H DRAM的批量生产。这些显著的成就充分展示了三星的技术实力，并为其在HBM领域的领导地位打下了坚实的基础。
同时，三星与英伟达等业内领先企业的合作正在日益加深。自去年以来，三星一直在积极向英伟达提供HBM3E样品以供严格测试，包括8层和12层堆叠技术。尽管面临诸多挑战，但进展顺利，预计在今年第三季度末将完成部分验证工作。这种合作无疑会加速HBM技术在高端计算领域的应用和普及。
此外，三星还通过官方渠道分享了其HBM产品的最新研发动态，并公开了HBM4技术的研发计划，预计该技术将在2025年首次亮相。这一消息立即引起了业界的广泛关注，并激发了市场对未来高性能计算和人工智能领域技术创新的期待。
还有传言称，三星正在考虑在HBM4中采用革命性的非导电粘合膜(NCF)组装技术和混合键合(HCB)技术。这些技术旨在优化高温环境下的热性能，从而进一步提高产品的稳定性和可靠性。如果这一传言成真，那么三星将再次突破现有技术的边界。
