【ITBEAR科技资讯】6月13日消息，近日，三星电子在美国硅谷举办的“2024年三星代工论坛”上，公开了其半导体技术的未来战略布局。公司计划于2027年推出两种新工艺节点，旨在强化从人工智能(AI)芯片研发、代工制造到组装的全流程“一站式”服务。
这一策略调整的背后，是三星电子对封装晶圆代工非内存半导体与高带宽内存(HBM)集成AI解决方案的深入探索。其目标是打造出高性能且低能耗的AI芯片产品。三星电子表示，此战略将大幅缩短研发至生产的周期，预计相比现有工艺，耗时能减少约20%。
据ITBEAR科技资讯了解，三星电子在2纳米工艺上将有重大创新，即采用背面供电网络(BSPDN)技术，该技术将被应用在制程节点SF2Z上。这一技术革新性地将芯片的供电网络转移至晶圆背面，实现与信号电路的分离，从而简化供电路径并降低供电电路对互联信号电路的干扰。此举有望显著提升AI芯片在功率、性能和面积等核心参数上的表现，并减少电压降，进而提升高性能计算设计的性能。
三星电子还透露，他们计划在2027年将光学元件技术融入AI解决方案中，以期实现更低的能耗和更快的数据处理速度。而在更早的2025年，三星就预备在4纳米工艺中引入“光学收缩”技术(制程节点SF4U)并进行量产，进一步缩小芯片尺寸并提升其性能。
