【ITBEAR科技资讯】5月28日消息，近日，全球领先的半导体解决方案提供商美光科技宣布，计划在日本广岛县投资建设一座新的内存芯片制造工厂，专注于生产DRAM芯片。据悉，该工厂预计总投资额将达到6000亿至8000亿日元，并有望在2027年底前投入运营。
美光科技表示，新工厂的建设将于2026年初启动，并计划引入尖端的EUV技术来支持生产流程。这项技术将大幅提高生产效率和产品质量，使美光科技在全球内存芯片市场上保持竞争优势。尽管公司最初希望该工厂能在2024年开始运营，但由于当前市场环境的变化，美光科技决定调整时间表以确保项目的稳健推进。
据ITBEAR科技资讯了解，美光科技作为全球半导体行业的佼佼者，其产品范围涵盖DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器等各类半导体组件及存储器模块。这些产品广泛应用于前沿计算、消费品、网络和移动便携设备等领域，为全球用户提供了高性能、可靠的存储解决方案。
为了支持美光科技在日本的投资项目，日本经济产业省于2023年10月宣布，将为美光科技提供高达1920亿日元(约合92亿人民币)的补贴。这笔资金将主要用于新一代芯片的研发和生产。具体来说，其中1670亿日元将用于新一代DRAM生产的补贴，占据了美光在广岛工厂生产线资本投资的三分之一。而剩余的250亿日元则将投入到下一代芯片产品的研究与开发中，以满足未来市场的需求。
此次投资不仅将增强美光科技在全球内存芯片市场的地位，同时也将助力日本提升在半导体领域的实力。随着新工厂的建成投产，预计将为当地创造大量就业机会，并进一步推动日本半导体产业的发展。
