【ITBEAR科技资讯】5月27日消息，近日有关三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片在英伟达测试中未能通过的消息引发了业界关注。然而，三星电子在最新声明中坚决否认了相关报道，强调公司正在与全球多家合作伙伴顺利进行HBM芯片的测试。
据韩媒Business Korea援引三星的声明，该公司正在努力提高所有产品的质量和可靠性，同时也在严格测试HBM产品的质量和性能，旨在为客户提供最佳解决方案。三星表示，他们正与其他商业伙伴保持持续合作，以确保产品的质量和可靠性达到最高标准。
据ITBEAR科技资讯了解，尽管有关三星HBM芯片存在发热和功耗问题的报道引发了外界担忧，但三星已开始批量生产其第五代HBM芯片——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的HBM3E产品。在目前已量产的HBM3E上，三星并未像竞争对手SK海力士、美光那样采用1b nm制程DRAM裸片，而是坚持使用1a nm颗粒。这一选择在能耗方面可能使三星处于一定的劣势，加上近期出现的负面舆论，导致部分分析师对三星能否从SK海力士等竞争对手中迅速夺回市场份额表示怀疑。
然而，也有观点认为，三星在HBM技术的研发和生产上具有丰富的经验和技术实力，此次声明也显示出公司对产品质量的严格把控和对客户需求的深度理解。因此，尽管面临一些挑战和质疑，三星仍有望在激烈的市场竞争中保持领先地位。
