【ITBEAR科技资讯】5月17日消息，台积电近日在技术研讨会上宣布，其3nm工艺节点已逐渐成熟，并计划于2024年下半年投入量产其进阶版本N3P节点。这一进展标志着台积电在半导体工艺领域的持续创新和领先。
N3P作为N3E工艺节点的进阶版，不仅继承了N3E的高能效特性，更在晶体管密度上实现了显著提升。据ITBEAR科技资讯了解，台积电在N3E的基础上，通过精细化的工艺调整和技术优化，成功提升了N3P的能效和晶体管密度，使其达到甚至超越了行业内的领先水平。
台积电高管在研讨会上表示，N3P工艺已经完成了严格的质量验证，其良品率接近于成熟的N3E工艺。这一成果得益于N3P在IP模块、设计规则、EDA工具和方法等方面的全面兼容性，使得整个过渡过程异常顺利。
N3P的关键优势在于其带来的性能提升和功耗降低。与N3E相比，N3P在相同功耗下能够提供约4%的性能提升，或者在匹配时钟频率下降低约9%的功耗。此外，对于由逻辑、SRAM和模拟元件组成的典型芯片设计，N3P的晶体管密度也提高了4%，这将有助于实现更紧凑、更强大的芯片设计。
随着N3P节点的量产，预计将为半导体行业带来新的性能与效率提升。台积电将继续致力于半导体工艺技术的研发和创新，为全球客户提供更优质的产品和服务。
