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三星新一代DRAM将采用MOR光刻胶,1c DRAM量产在望

   时间:2024-04-30 13:49:16 来源:互联网编辑:茹茹 发表评论无障碍通道

【ITBEAR科技资讯】4月30日消息,近日,据韩媒TheElec披露,三星电子正积极探索在其最新一代DRAM生产中应用极紫外(EUV)光刻工艺,并考虑采用先进的金属氧化物抗蚀剂(MOR)。这一创新举措预示着半导体制造技术的新篇章。

随着芯片制造技术的不断进步,传统的化学放大胶(CAR)在光刻胶分辨率、抗蚀刻性和线边缘粗糙度等方面的局限性愈发显现。在此背景下,MOR作为下一代光刻胶备受瞩目,业内普遍认为其将成为CAR的有力替代者。

据ITBEAR科技资讯了解,三星目前正着眼于在其第6代10纳米DRAM,即所谓的1c DRAM中引入MOR技术。该技术将主要应用于六层或七层EUV光刻工艺中,以提升芯片制造的精度和效率。此举不仅展现了三星对于技术革新的坚定决心,更突显了其在半导体行业的领先地位。

为满足新一代DRAM的生产需求,三星已开始积极筹备相关材料的采购工作。据悉,三星正计划从包括Inpria、杜邦、东进半导体以及三星SDI等多家供应商处采购EUV MOR光刻胶材料。这一系列动态无疑为整个半导体行业带来了新的发展契机。

随着相关产品预计于今年下半年正式投入生产,三星的这一技术革新有望进一步推动全球半导体市场的竞争格局。让我们拭目以待,期待这一创新技术为未来的科技产品带来更出色的性能和稳定性。

 
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