【ITBEAR科技资讯】2月17日消息，美国晶圆厂建设速度落后，而中国大陆正在迅速迎头赶上，这是根据乔治城大学沃尔什外交学院智库CSET(安全和新兴技术中心)最新报告所揭示的趋势。
全球自19世纪90年代以来共新建了635座晶圆厂，平均耗时682天。日本以584天的建设速度位列榜首，紧接着是韩国(620天)、中国台湾(654天)、欧洲和中东(690天)以及中国大陆(701天)。而美国则需要长达736天，这一数字仅略好于东南亚的781天。
若按不同时间段划分，美国的情况更为严峻。在1990年代和2000年代，美国平均只需675天即可完成晶圆厂建设。然而，到了2010年代，这一时间延长至918天。与此同时，中国大陆和中国台湾则分别将建设时间缩短至675天和642天。
进入2020年代，美国晶圆厂建设面临更多挑战，常常无法按预定计划完工。例如，台积电位于亚利桑那州的Fab 21项目推迟了一年，Intel位于俄亥俄州的工厂则从2025年延期至2026年底，三星位于得克萨斯州的工厂也推迟到了2025年。
在数量方面，美国也呈现快速下滑趋势。1990年代新建了55座晶圆厂，2000年代减少至43座，而到了2010年代则仅新建了22座，总计120座。相比之下，同期中国大陆分别新建了14座、75座和95座晶圆厂，总计184座，比美国多出整整一半。
尽管数量和速度并非衡量一切的唯一标准，尖端工艺方面仍存在较大差距，但CSET仍提醒美国要警惕中国的追赶步伐。尽管美国制定了《芯片法案》以推动半导体制造业回流本土并抑制竞争，但效果并不理想。
据ITBEAR科技资讯了解，CSET在报告中强调指出，美国晶圆厂建设放缓的最大阻碍是纷繁复杂的法律法规。这些法规虽然看似对公众有益，但实际上却严重阻碍了半导体行业的发展。因此，CSET建议删除那些不必要的冗余条款，为半导体行业开绿灯以促进其发展。
