【ITBEAR科技资讯】10月13日消息，据DigiTimes最新报道，三星正全力推进2纳米制程技术，旨在在半导体领域对台积电发起挑战。
三星半导体和设备解决方案(DS)部门的负责人Kye Hyun Kyung曾公开表示，他们计划在未来五年内超越台积电以及其他业内巨头。
据韩国新闻媒体Money Today援引的内部消息称，三星的半导体代工部门正在紧锣密鼓地推进2纳米生产计划，他们正在整合自身的优势资源，以加速2纳米技术的研发。有一些业内人士甚至猜测，三星有可能跳过3纳米制程，直接迈向2纳米的制造工艺。
在今年6月的一份报告中，三星正式公布了最新的工艺技术路线图，计划在2025年推出2纳米级别的SF2工艺，而在2027年推出1.4纳米级别的SF1.4工艺。与此同时，公司还公布了SF2工艺的一些特性。
SF2工艺是在今年早些时候推出的第三代3纳米级(SF3)工艺的基础上进行了进一步的优化。相较于SF3工艺，SF2工艺在相同的频率和复杂度下能够提高25%的功耗效率，提高12%的性能，同时在相同的功耗和复杂度下减少了5%的芯片面积。
为了增加SF2工艺的竞争力，三星还计划为该工艺提供一系列先进的IP组合，其中包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等技术。这些举措显示出三星在追求半导体技术的领先地位方面的坚定决心。
