日前SK海力士宣布在中国再建新的闪存工厂，其非易失性存储器制造项目在辽宁大连开工，该项目将建设一座新的晶圆工厂，生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。
经过多年的发展，NAND闪存不止有了SLC、MLC、TLC之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在飞速的进步，从50nm一路到目前的16nm甚至更小，但是随着工艺的进步，NAND的氧化层也越薄，导致了可靠性下降，为了解决这一问题，许多厂商费劲脑汁，终于在觉得平面也就是2D NAND已经遇到了瓶颈之后，厂商将目光投向了3D空间，也就是将数层2D NAND叠加在一起，既保证了可靠性又增大了容量，由此3D NAND颗粒进入大家的视野。
SK海力士方面表示，在大连新建NAND闪存工厂的同时，继续追加投资对无锡、重庆工厂进行产能扩充，并重点推进8英寸晶圆代工合资厂、产业园、学校、医院等多个不同领域的在华项目。
