近期美国存储股市场出现抛售现象，但摩根士丹利发布报告称，当前市场担忧的几大负面因素早在一个月前已可预见，并非新出现的风险。数据中心领域供需紧张局面仍未缓解，该机构维持对存储板块的积极评价，认为此次股价回调是具有吸引力的买入时机。
根据摩根士丹利7月20日发布的研究报告，分析师团队通过密集走访数据中心采购渠道确认，存储产品短缺强度未出现减弱迹象。报告预测，第三季度数据中心内存价格环比涨幅将至少达到25%，这一数字超过机构自身及第三方机构此前预期。分析师指出，内存正成为人工智能基础设施建设的关键瓶颈，这种结构性约束预计将持续数年时间。
针对市场抛售的三大核心担忧，报告逐一进行反驳。关于价格增速放缓问题，分析师承认季度环比涨幅确实呈现下降趋势，但强调这是行业发展的必然阶段。数据显示，DRAM价格第一季度环比上涨约70%，第二季度涨幅仍超过40%，在行业季度营收从460亿美元跃升至2000亿美元的背景下，维持此前涨幅既不现实也会破坏需求平衡。
在长期协议（LTA）的解读上，报告认为这类协议更多印证了供需紧张的现实，而非对价格形成实质约束。以美光科技财报电话会议内容为例，所谓"第二季度价格可能是新协议上限"的表述，实则是针对法律审批周期较长的旧协议，当前正在谈判的新协议价格上限将更高。这种保守表述被市场过度解读，导致股价非理性波动。
需求端呈现显著的结构性分化特征。报告强调，本轮存储周期与历史周期存在本质差异，数据中心需求占比接近100%，消费电子、PC和智能手机市场的波动属于"干扰信号"。云计算客户为获取内存支付溢价的现象，直接证明当前短缺是产能瓶颈而非库存问题。特别是人工智能算力支出保持50%以上增速，与PC、智能手机市场3-5%的增速形成鲜明对比。
技术升级带来的产能消耗成为新变量。报告指出，HBM4制造复杂度将大幅挤压产能，明年Rubin Ultra平台上线后内存容量需求将翻倍。同时，机架用低功耗DDR5和企业级存储需求持续旺盛。在NAND领域，行业资本开支保持克制，预计明年虽有增长但不足以实质性扩大供给，供需紧张局面将长期持续。
投资逻辑正从峰值盈利转向周期持续性。报告认为，长期协议和客户工程优化措施虽然压缩了周期波动幅度，但显著延长了高盈利周期的持续时间。持续数年的盈利增长对估值的支撑作用，远强于单一超强年份的表现。针对内存降规格风险，报告指出英伟达调整架构的举措恰恰印证了内存短缺的长期性，随着供给释放，内存使用量必然同步扩张。
