磷化铟作为光芯片领域的关键材料，近期成为资本市场关注的焦点。随着AI数据中心建设加速，光模块向更高传输速率迭代，磷化铟衬底需求呈现爆发式增长。据行业机构预测，2026年全球需求量将攀升至260万至300万片，而实际有效产能仅能满足约75万片，供需缺口超过70%。
在产能扩张方面，云南锗业已启动年产30万片6英寸磷化铟衬底生产线建设，项目周期18个月。该公司目前可稳定供应4英寸产品，6英寸产品处于持续研发阶段。珠海鼎泰芯源作为国内主要供应商之一，正在推进扩产计划，其参股方博杰股份年内股价涨幅达107%，显示市场对产能释放的积极预期。
跨界布局成为市场新动向。高分子材料企业宿迁联盛宣布拟出资700万元设立合资公司，切入磷化铟衬底领域。该项目规划分两期建设，一期投资1亿元在10个月内建成年产12万片4-6英寸产线，二期将追加2亿元扩大至40万片年产能。此举引发监管关注，上交所要求公司说明跨行业投资的可行性及资金保障措施。
央企背景的中铝集团通过旗下企业加速布局。中铝干星科技公司计划在成都彭州投资3500万元建设中试平台，重点研发6英寸磷化铟、锑化镓等化合物半导体衬底材料。该公司由中铝集团联合中国铝业、云南铜业等五家上市公司共同出资15亿元设立，依托股东在锗、镓、铟等稀散金属领域的资源优势，推进材料高纯化研发。
资本市场反应热烈，相关概念股表现强劲。云南锗业年内股价累计上涨近180%，较2024年低点涨幅超过10倍。欧莱新材通过全资子公司开展6N级高纯铟及磷化铟制备工艺研究，股价年内涨幅达240%。资金流向显示，云南锗业、锡业股份分别获得14.14亿元和11.39亿元融资净买入，兴业银锡、驰宏锌锗等企业融资净买入额均超3亿元。
技术壁垒高企导致供给紧张局面短期难解。磷化铟衬底生产需要在极端环境控制下进行，设备交付周期长、良率提升困难，叠加客户认证周期长达两年，制约了产能快速释放。当前国内实现量产的企业不足五家，广东先导科技、珠海鼎泰芯源等企业正在突破技术瓶颈，试图打破海外垄断局面。
产业链上游铟金属供应受到关注。锡业股份2026年一季度生产铟锭27吨，兴业银锡截至2024年末保有铟储量1130.7吨。驰宏锌锗与中铝干星的业务协同显现，其对中铝干星的锗精矿等产品销售金额预计从2025年的9190万元增至2026年的7.17亿元，折射出半导体材料需求的快速增长态势。
