近日，总部位于美国加州的泛林集团（Lam Research）对外公布了一项重要技术突破。该集团在本月14日正式宣布，其自主研发的干式光刻胶技术已成功通过imec的严格认证，此技术能够在逻辑半导体后道工艺（即BEOL，互联层制作）中实现28nm间距的直接图案化，更为重要的是，它还能满足2nm及以下先进制程的严苛需求。
在半导体制造领域，湿式旋涂光刻胶一直是先进制程中的主流选择，它基于化学放大原理工作。而泛林集团的干式光刻胶则采用了截然不同的技术路径，它是通过气相沉积小于0.5nm的金属有机微粒单元来形成的。这一创新不仅挑战了传统，更为半导体制造带来了全新的可能性。
据泛林集团介绍，其干式光刻胶在光子捕获能力方面表现卓越，同时光刻胶层的厚度也易于精确调控。在实际应用中，这种新型光刻胶能够有效解决EUV光刻领域中的两大难题：曝光剂量和缺陷率。与湿化学光刻胶相比，干式光刻胶还更加环保，符合当前全球对于绿色制造的追求。
光刻流程是半导体制造中的关键环节，从涂胶到制得图案，每一步都需要极高的精度和稳定性。泛林集团的干式光刻胶技术在这一流程中展现出了出色的性能。目前，该技术在0.33（Low）NA EUV光刻机上已经得到了验证，未来还有望扩展至逐步投入使用的0.55（High）NA EUV光刻平台上，这将为半导体制造带来更加广阔的应用前景。
泛林集团的这一技术突破，无疑将为半导体制造行业注入新的活力。随着先进制程的不断推进，对于光刻胶等关键材料的要求也越来越高。泛林集团的干式光刻胶技术不仅满足了这些要求，还为行业的未来发展提供了新的方向和思路。
