英诺赛科科技股份有限公司（简称“英诺赛科”）近日成功完成其全球H股发售，共计发行约4536.40万股，其中香港公开发售占比10%，国际发售占比90%。每股最终定价为30.86港元，散户部分认购倍数达到2.87倍，公司借此机会通过香港IPO净筹资13亿港元。
此次IPO由中金公司和招银国际担任联席保荐人，基石投资者阵容强大，包括意法半导体、江苏国企混改基金、东方创联及苏州高端装备。英诺赛科成立于2017年，专注于第三代半导体硅基氮化镓的研发与产业化，是全球氮化镓功率半导体领域的佼佼者。
凭借在氮化镓技术领域的深厚积累和创新突破，英诺赛科已在市场上占据领先地位。根据权威机构弗若斯特沙利文的资料显示，2023年，按折算氮化镓分立器件出货量计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，占比高达42.4%。英诺赛科还因其在推动中国氮化镓技术产业发展中的卓越贡献，被评为“第三代半导体年度标杆领军企业”和“中国氮化镓十强企业”。
氮化镓作为第三代半导体材料，具有显著的宽带隙、高电子迁移率、高开关频率、低导通电阻、耐高压及耐高温等综合优势，正引领着一场半导体材料革命。随着电动汽车、数据中心、新能源发电及电网等相关产业的快速发展，市场对更高效且更具经济效益的功率半导体产品的需求激增，氮化镓功率半导体产品迎来了前所未有的发展机遇。
据弗若斯特沙利文研究，全球功率半导体市场规模预计将从2024年的人民币3680亿元增长至2028年的人民币4968亿元，复合年增长率为7.8%。其中，氮化镓功率半导体市场规模自2019年的人民币1.39亿元迅速增长至2023年的人民币17.6亿元，复合年增长率高达88.5%。2023年被视为氮化镓行业指数级增长的开局之年，预计到2028年，氮化镓在全球功率半导体市场中的份额将提升至10.1%。
英诺赛科在氮化镓功率半导体领域拥有无可争议的行业龙头地位。根据弗若斯特沙利文的统计，2023年，英诺赛科来自氮化镓功率半导体业务的收入在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名首位，市场份额为33.7%。英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，月产能达到12500片晶圆，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，具有更多的有效面积、更先进的工艺技术、更高的生产效率及低成本等优势。
英诺赛科还是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，显示出其在氮化镓技术的全面研发和制造能力。公司的核心竞争力源自其领先的技术研发实力和全产业链模式，拥有来自国际一流半导体企业的技术专家和资深人士，在氮化镓材料生长、芯片设计、制造工艺等方面拥有多项自主知识产权和核心技术。
英诺赛科在苏州建立了全球研发中心，致力于技术创新和技术平台升级，推动了关键性能指标的不断突破。例如，公司首创的双向氮化镓系列，有效提升了33%的面积效率，同时降低了30%的系统损耗。目前，公司研发工作已在全球累计获得406项专利，产品从消费级迈向工业级，并正在向车规级迈进。
英诺赛科采用IDM一体化垂直运作模式，覆盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试，实现了全产业链的自主可控。相比于传统晶圆代工厂，IDM模式在设计生产协同、产能和供应链的稳定性、成本和工艺技术升级方面具有明显优势。随着产能及产品供应的扩大以及核心技术的成熟，英诺赛科逐步进入收获期，营收规模持续扩大。
2021年至2023年，英诺赛科实现营业收入分别为人民币0.68亿元、1.36亿元和5.93亿元，年均复合增长率为194.8%。截至2024年6月底，营业收入为3.86亿元，同比增长25.2%。公司向中国和海外约140名客户提供氮化镓产品，并获得了客户的广泛认可。不久前，公司40V车规级产品INN040FQ045A-Q荣获“年度影响力产品”奖，进一步印证了公司强劲的研发技术实力和优秀的产业化能力。
