【ITBEAR科技资讯】12月12日消息,今年10月,韩国的技术巨头三星电子和SK海力士在一个重大发展中获得了美国政府的特殊豁免。这一决策为这些公司提供了极大的便利,特别是在其中国工厂的运营方面。根据这项豁免,这些工厂现在可以无需额外的特别许可就直接进口半导体芯片制造设备。这一举措不仅减轻了行政负担,也加快了其生产和发展的步伐。事实上,这些公司在获得豁免之后已经开始采取了一系列相应的措施来利用这一新的优势。
三星电子在中国的最新项目——位于西安的三星12英寸闪存芯片制造设施,被称为M-FAB项目,近日达成了一个重要里程碑。据报道,该项目的关键模块已成功完成首次吊装作业,这标志着该项目正式进入了主体施工阶段。这一进展不仅体现了三星在中国市场的扩张计划,也预示着该公司在全球半导体产业中的影响力不断增强。
据ITBEAR科技资讯了解,三星(中国)半导体有限公司自2012年起就在西安高新区落户,其西安工厂是三星唯一的海外存储器半导体生产基地。这个工厂自2020年起开始扩建第二期工厂项目,目前已经成为全球最大的NAND制造基地之一。这个工厂每月可以生产超过20万片12英寸晶圆,占据了三星NAND总产量的40%以上,这一数据在全球半导体产业中占据了举足轻重的地位。
让我们深入了解三星西安工厂的规模和投资情况。第一工厂的投资总额达到了108.7亿美元,折合人民币约为780.47亿元。而2017年开始建设的第二工厂,总投资额更是高达150亿美元,约合1077亿元人民币。这些数字清晰地表明了三星在中国市场的投入和承诺。
三星(中国)半导体公司的二期项目位于西安市长安区西太路综合保税区,由三星(中国)半导体有限公司负责投资和建设。总建筑面积约为10.7万平方米。官方表示,一旦这个项目完全建成并投入生产,它将成为全球最大的闪存芯片生产基地。这不仅将极大地促进西安市电子信息产业的高端集群化发展,还将帮助该市打造成为全球知名的电子信息产业创新高地。
Business Korea在今年10月的一篇报道中提到,三星电子的高层已经决定将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺,并计划进行大规模扩张。这一决策被看作是三星对未来市场需求的预判和对先进技术的投资。
据业内消息人士透露,三星已经开始采购最新的半导体设备,预计这些新设备将在2023年底交付,并计划在2024年在西安工厂陆续引进能够生产第8
代NAND的设备。这一战略举措被业界视为三星在全球NAND需求疲软和产能下降的背景下所采取的重要步骤。